Реферат: Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры
Реферат: Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры
Ш2
ш1.5
1Министерство науки, высшей школы и технической
политики РФ
1Московский Государственный Институт Электроники
и Математики
1Факультет
Электронной Техники
1Кафедра -
Материаловедение
1электронной техники
1РЕФЕРАТ
1на тему 3 Материалы
оптоэлектроники.
3Полупроводниковые светоизлучающие
структуры. 0
1Выполнил студент
группы И-41
1Офров С.Г
1Руководитель Петров
В.С.
1Реферат защищён с
оценкой _________
_____________________________
(подпись
преподавателя, дата)
1Москва 1994
ш0
.
- 1 -
Материалы оптоэлектроники.
Полупроводниковые светоизлучающие структуры.
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ.
1.1. Предмет оптоэлектроники.
Оптоэлектроника представляет собой раздел науки и
техники,
занимающийся вопросами генерации, переноса (передачи и
приёма),
переработки (преобразования), запоминания и хранения
информации
на основе использования двойных (электрических и
оптических) ме-
тодов и средств.
Оптоэлектронный прибор - это (по рекомендации МЭК)
прибор,
чувствительный к электромагнитному излучению в видимой,
инфра-
красной или ультрафиолетовой областях; или прибор,
излучающий и
преобразующий некогерентное или когерентное излучение в
этих же
спектральных областях; или прибор, использующий такое
электро-
магнитное излучение для своей работы.
Обычно подразумевается также
"твердотельность" оптоэлек-
тронных приборов и устройств или такая их структура (в
случае
использования газов и жидкостей), которая допускала бы реализа-
цию с применением методов современной интегральной
техники в
микроминиатюрном исполнении. Таким образом,
оптоэлектроника ба-
зируется на достижениях целого ряда достижений науки и
техники,
среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая
элек-
троника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и
техно-
логия, а также нелинейная оптика, электрооптика,
голография, во-
локонная оптика.
- 2 -
Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств
связа-
ны с тем, что в качестве носителя информации в них
наряду с
электронами выступают электрически нейтральные
фотоны. Этим
обуславливаются их основные достоинства:
1. Высокая информационная ёмкость оптического
канала.
2. Острая направленность излучения.
3. Возможность двойной модуляции светового луча - не
только
временной, но и пространственной.
4. Бесконтактность, "элетропассивность"
фотонных связей.
5. Возможность простого оперирования со зрительно
восприни-
маемыми образами.
Эти уникальные особенности открывают перед
оптоэлектронными
приборами очень широкие возможности применения в
качестве эле-
ментов связи, индикаторных приборов, различных датчиков.
Тем са-
мым оптоэлектроника вносит свою, очень значительную,
долю в
комплексную микроминиатюризацию радиоэлектронной
аппаратуры.
Дальнейшее развитие и совершенствование средств
оптоэлектроники
служит техническим фундаментом разработки
сверхвыскопроизводи-
тельных вычислительных комплексов, запоминающих
устройств ги-
гантской ёмкости, высокоскоростной связи, твердотельного
телеви-
дения и инфравидения.
Основу практически любой оптоэлектронной системы
составляет
источник излучения: именно его свойства и определяют, в
первую
очередь, лицо этой системы. А все источники можно
подразделить
на две большие группы: с когерентным (лазеры) и с
некогерентным
(светоизлучающие диоды и др.) излучением. Устройства с
использо-
ванием когерентного или некогерентного света обычно
резко отли-
чаются друг от друга по важнейшим характеристикам.
- 3 -
Всё это оправдывает использование таких терминов как
"коге-
рентная оптоэлектроника" и "некогерентная
оптоэлектроника". Ес-
тественно, что чёткую грань провести невозможно, но
различия
между ними очень существенны.
История оптоэлектроники ведёт своё начало с
открытия опти-
ческого квантового генератора - лазера (1960 г.).
Примерно в то
же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое
распростране-
ние светоизлучающие диоды, полупроводниковые
фотоприёмники, уст-
ройства управления световым лучом и другие элементы
оптоэлектро-
ники.
1.2. Генерация света.
Оптический диапазон составляют электромагнитные
волны, дли-
ны которых простираются от 1 мм до 1 нм. Оптический
диапазон за-
мечателен тем, что именно в нём наиболее отчётливо
проявляется
корпускулярно-волновой дуализм; энергия фотона и
соответствующие
ей частота колебаний и длина волны света связаны
следующими со-
отношениями:
ш1 7
7)
7n 0[Гц] =
3 77 010 514 0/ 7l 0[мкм] 7 2
78
7e 4ф 0[эВ] =
1,234/ 7l 0[мкм] 7 2
70
ш0
При известной удельной мощности P плотность
фотонного пото-
ка N определяется выражением
N[м 5-2 0с 5-1 0] =
5,035 77 010 512 77l 0[мкм] 77 0P[мкВт 77 0м 5-2 0].
Все светогенерационные эффекты относят либо к
тепловому из-
лучению, либо к одному из видов люминесценции. Спектр
излучения
- 4 -
нагретого тела определяется формулой Планка, которая для
так на-
зываемого абсолютно чёрного тела имеет вид
f( 7l 0,T) =
2 7p7 0h 77 0c 52 77l 5-5 0[ exp(hc/(kT 7l 0))
- 1] 5-1 0,
где h, c, k - известные универсальные константы; T -
абсолютная
температура. При достаточно высоких температурах
(>2500...3500 К)
часть спектра теплового излучения приходится на видимую
область.
При этом, однако, всегда значителен длинноволновый
"хвост".
Люминесценция представляет собой излучение,
характеризующе-
еся тем, что его мощность превышает интенсивность
теплового из-
лучения при данной температуре ("холодное"
свечение).
Известно, что электроны в атоме могут находиться
в ряде
дискретных энергетических состояний, при тепловом
равновесии они
занимают наинизшие уровни. В люминесцирующем веществе
за счёт
энергии того или иного внешнего воздействия часть
электронов пе-
реходит на более высокие энергетические уровни
E 42 0. Возвращение
этих электронов на равновесный уровень E 41 0
сопровождается испус-
канием фотонов с длиной волны, определяемой простым
соотношением:
ш1
1,23
7l 0 = ─────────────
[мкм]
(E 42 0 -
E 41 0)[эВ]
ш0
Физика люминесценции предопределяет две
примечательные осо-
бенности процесса: узкий спектр излучения и возможность
исполь-
зования большого числа способов возбуждения. В
оптоэлектронике
главным образом используются электролюминесценция
(пробой и ин-
жекция p-n перехода в полупроводниках), а также фото- и
катодо-
люминесценция (бомбардировка люминофора быстрыми
электронами).
При распространении световых лучей важную роль
играет диф-
ракция, обусловленная волновой природой света и
приводящая, в
- 5 -
частности, к тому, что выделенный с помощью оптической
системы
параллельный пучок становится расходящимся, причём угол
расходи-
мости близок к 7f 4D 0 = 7
l 0/D , где D - апертура (диаметр луча света).
Дифракционный предел разрешающей способности оптических
систем
соизмерим с 7 l 0, а плотность записи
информации с помощью световых
потоков не может превысить 7 l 5-2 0.
В веществе с показателем преломления n скорость
распростра-
нения светового луча становится c/n, а поскольку
величина n за-
висит от длины волны (как правило, растёт с
уменьшением 7 l 0), то
это обуславливает дисперсию.
1.3. Источники излучения.
Оптоэлектроника базируется на двух основных видах
излучате-
лей: лазерах (когерентное излучение) и светоизлучающих
диодах
(некогерентное излучение).
В оптоэлектронике находят применение маломощные
газовые,
твердотельные и полупроводниковые лазеры. Разрежённость
газового
наполнения в рабочем объёме обусловливает высокую степень
монох-
роматичности, одномодовость, стабильность частоты,
острую на-
правленность и, в конечном счёте, когерентность
излучения. В то
же время значительные габариты, низкий к.п.д., прочие
недостатки
газоразрядных приборов не позволяют рассматривать этот
вид ОКГ
как универсальный оптоэлектронный элемент.
Значительные мощности излучения твердотельных
лазеров обус-
лавливают перспективность применения этих генераторов в
дально-
действующих волоконнооптических линиях связи.
Наибольший интерес для разнообразных оптоэлектронных
приме-
- 6 -
нений представляют полупроводниковые лазеры благодаря
высокому
к.п.д., малым габаритам, высокому быстродействию, простоте
уп-
равления. Особенно выделяются гетеролазеры на основе
тройного
полупроводникового соединения Ga Al As. В их структуре
тонкий
слой n-типа проводимости "зажат" между
областями n- и p-типов
того же материала, но с большими значениями концентраций
алюми-
ния и соответственно этому большими ширинами запрещённой
зоны. В
роли резонатора может также выступать поверхностная
дифракцион-
ная решётка, выполняющая функцию распределённой
оптической об-
ратной связи.
Для оптоэлектроники особый интерес представляют
полупровод-
никовые излучатели - инжекционные (светодиоды) и
электролюминес-
центные (электролюминофоры). В первых излучение
появляется в ре-
зультате рекомбинации дырок с инжектированными через
pn-переход
электронами. Чем больше ток через светодиод, тем ярче его
высве-
чивание. В зависимости от материала диода и примесей в
нём меня-
ется цвет генерируемого излучения: красный, жёлтый,
зелёный, си-
ний (соединения галия с фосфором и азотом, кремния с
углеродом и
пр., см. табл.1). Светодиоды на основе соединения галия
с мышь-
яком генерируют невидимое излучение с длиной волны
0,9...0,92
мкм. На этой длине волны кремниевые фотоприёмники имеют
макси-
мальную чувствительность. Для светодиодов характерны
малые раз-
меры (0,3 7& 00,3 мм), большие срок службы
(до 100 тыс. ч.) и быст-
родействие (10 5-6 0...10 5-9 0 с),
низкие рабочие напряжения (1,6...3,5
В) и токи (10...100 мА).
.
- 7 -
ш1.5
Л+
Таблица 1. Основные материалы для светодиодов.
╔════════════╤══════╤══════════╤═════════╤═════════════════╗
║ Полупро- │ 4o 0 5
0│ Цвет │Эффектив-│ Быстродействие, ║
║ водник │ 7l 0,A │
│ность, % │ нс ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ GaAs │ 9500 │ ИК │
12; 50 5* 0 │ 10 5-7 0...10 5-6 0 ║
║ │ 9000 │ │
2 │ 10 5-9 0...10 5-8 0 ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ GaP │ 6900 │ Красный │
7 │ 10 5-7 0...10 5-6 0 ║
║ │ 5500 │ Зелёный │
0,7 │ 10 5-7 0...10 5-6 0 ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ GaN │ 5200 │ Зелёный │
0,01 │ ║
║ │ 4400 │ Голубой │
0,005 │ ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ GaAs 41-x 0P 4x 0 │
6600 │ Красный │ 0,5 │
3 77 010 5-8 0 ║
║ │ 6100 │ Янтарный │
0,04 │ 3 77 010 5-8 0 ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ Ga 41-x 0Al 4x 0As │
8000 │ ИК │ 12 │ 10 5-8 0 ║
║ │ 6750 │ Красный │
1,3 │ 3 77 010 5-8 0 ║
╟────────────┼──────┼──────────┼─────────┼─────────────────╢
║ │ 6590 │ Красный │
0,2 │ ║
║ In 41-x 0Ga 4x 0P │
6170 │ Янтарный │ 0,1 │ ║
║ │ 5700 │ Желто- │
0,02 │ ║
║ │ │ зелёный │
│ ║
╚════════════╧══════╧══════════╧═════════╧═════════════════╝
ш0
Л-
Излучатели на основе люминофоров представляют собой
порош-
ковые или тонкоплёночные конденсаторы, выполненные на
стеклянной
прозрачной подложке. Роль диэлектрика выполняет
электролюминофор
на основе соединения цинка с серой, который излучает
свет под
действием сильного знакопеременного электрического
поля. Такие
светящиеся конденсаторы могут изготовляться различных
размеров
(от долей сантиметра квадратного до десяти и более
квадратных
метров), различной конфигурации, что позволяет
изготавливать из
- 8 -
них знако-буквенные индикаторы, отображать различные
схемы, кар-
ты, ситуации.
В последнее время для малогабаритных устройств
индикации
широко стала использоваться низковольтная
катодолюминесценция -
свечение люминофора под действием электронного луча.
Такие ис-
точники излучения представляют собой электровакуумную
лампу,
анод которой покрыт люминофором, излучающим красный,
жёлтый, зе-
лёный, синий свет при попадании на него ускоренных
электрическим
полем электронов. Простота конструкции, низкая
стоимость, боль-
шие яркости и большой срок службы сделали
катодолюминесценцию
удобной для различных применений в оптоэлектронике.
2. СВЕТОДИОДЫ.
Наиболее перспективными источниками излучения для
оптоэ-
лектроники являются светодиоды. Такими их делают малые
габариты
и масса (излучающие площади 0,2...0,1 мм 52 0 и
менее), большой срок
службы, измеряемый годами и даже десятками лет
(10 54 0...10 55 0 ч),
высокое быстродействие, не уступающее интегральным
схемам
(10 5-9 0...10 5-5 0 с), низкие
рабочие напряжения (1,6...2,5 В), малая
потребляемая мощность (20...600 мВт), возможность
получения из-
лучения заданного спектрального состава (от синего до
красного в
видимой части спектра и ближнего инфракрасного
излучения). Они
используются в качестве источника излучения для
управления фо-
топриёмниками в оптронах, для представления
цифро-буквенной ин-
формации в калькуляторах и дисплеях, для ввода
информации в
компьютерах и пр.
Светодиод представляет собой гомо- или
гетеро-pn-переход,
- 9 -
прохождение тока через который в прямом направлении
сопровожда-
ется генерацией в полупроводнике излучения. Излучение
является
следствием инжекционной люминесценции - рекомбинации
инжектиро-
ванных через pn-переход эмиттером неосновных
носителей тока
(электронов) с основными носителями тока в базе (дырками)
(люми-
несценция - испускание света веществом, не требующее
для этого
нагрева вещества; инжекционная электролюминесценция
означает,
что люминесценция стимулирована электрическим током).
Электролюминесценция может быть вызвана также
сильным
электрическим полем, как в случае электролюминесцентных
конден-
саторов с диэлектриком из порошка сернистого цинка
(предпробой-
ная электролюминесценция Дестрио).
Светодиоды для видимого и ближнего инфракрасного
излучения
изготавливаются главным образом из монокристаллов
материалов ти-
па A 5III 0B 5V 0: фосфида галия,
арсенида галия и более сложных соеди-
нений: GaAs 41-x 0P 4x 0 ,
Ga 41-x 0Al 4x 0As , где x - доля содержания того или
другого элемента в соединении.
Для получения требуемого цвета свечения материалы
сильно
легируются соответствующими примесями или их состав
сильно варь-
ируется. Так, для получения красного излучения фосфид
галия ле-
гируется цинком и кислородом, для получения зелёного -
азотом.
Если в GaAs 41-x 0P 4x 0 x=0,39 ,
то светодиод излучает красный свет с
7l 0=660 нм, если x=0,5...0,75, то янтарный
с 7 l 0=610 нм.
Из простого соотношения, связывающего длину волны
излучения
с шириной запрещённой зоны полупроводника, 7
l 0[нм] = 1234/ 7e 0 [эВ]
следует, что видимое излучение с 7 l, 0720 нм
можно получить лишь от
широкозонных полупроводников с шириной запрещённой
зоны 7 e. 01,72
эВ. У арсенида галия при комнатной температуре 7
e 0=1,38 эВ. Поэто-
- 10 -
му светодиоды из арсенида галия излучают невидимое,
инфракрасное
излучение с 7l 0=900 нм. У фосфида галия
7e 0=2,19 эВ. Он может уже
излучать видимый свет с длиной волны 7 l. 0565
нм, что соответствует
желто-зелёному свечению. Как преобразователь электрической
энер-
гии в световую, светодиод характеризуется внешней
эффективностью
(или к.п.д.).
ш1
число эмиттированных квантов света
7h 0 = ──────────────────────────────────────────
число инжектированных неосновных носителей
ш0
Эффективность светодиодов невелика 7
h, 00,1 (10%). В большинс-
тве случаев она не превышает 0,5...5%. Это обусловлено
тем, что
свет трудно вывести из полупроводника наружу. При высоком
значе-
нии коэффициентов преломления используемых поводников
(для арсе-
нида галия n=3,3 для воздуха - 1) значительная часть
рекобинаци-
онного излучения отражается от границы раздела
полупровод-
ник-воздух, возвращается в полупроводник и поглощается
в нём,
превращаясь в тепло. Поэтому сравнительно невелики
средние яр-
кости светодиодов и их выходные мощности:
L 4ф 0=10...10 53 0 кд/м 52 0,
I 4ф 0=10 5-1 0...10 52 0
мкд, P 4ф 0=10 5-1 0...10 52 0 МВт. По этим
параметрам они ус-
тупают лампочкам накаливания, по остальным - превосходят
их.
Светодиод - миниатюрный твердотельный источник
света. У не-
го отсутствует отпаянная колба как у лампы накаливания.
У него
нет нити накала, а значит отсутствует время разогрева и
микро-
фонный эффект. Он более стоек к механическим ударам и
вибрациям.
Излучение светодиода весьма близко к монохроматическому в
преде-
лах 7 Dl 0=40...100 нм. Это снижает фоновые
шумы источника по срав-
нению со случаем применения фильтров для
монохроматизации излу-
чения немонохроматического источника.
- 11 -
2.1. Конструкция светодиодов.
В излучателе плоской конструкции (рис.1,а)
излучающий пере-
ход выполнен или диффузией, или эпитаксией. Штриховыми
линиями
показаны лучи, которые из-за полного внутреннего
отражения от
границы раздела не выходят из кристалла. Из кристалла
выходят
только те лучи, которые с нормалью составляют угол
7Q, 0arcsin
n 41 0/n 42 0. Для арсенида галия и
фосфида галия - это конус с углом у
вершины не более 35 5o 0. Такая конструкция является
самой дешёвой и
простой. Однако она наименее эффективна, ей
соответствует узкая
диаграмма направленности излучения (рис. 2).
Геометрические размеры полусферической конструкции
светоди-
ода (рис. 1,б) таковы, что
R 7. 0r 77 0(n 42 0/n 41 0). В этом
случае всё излу-
чение попадает на границу раздела под углом, совпадающим
с нор-
малью, и полностью выходит наружу. Эффективность
полусферической
конструкции - самая высокая. Она примерно в десять раз
превышает
эффективность плоской конструкции. Однако она намного
дороже и
сложнее в изготовлении.
Плоский кристалл светодиода может быть покрыт
каплей эпок-
сидной смолы, выполняющей роль линзы (рис. 1,в). Смола
имеет ко-
эффициент преломления промежуточный между воздухом и
кристаллом.
Это позволяет несколько увеличить светящуюся поверхность
диода.
В последнем случае смола подкрашивается под цвет
излучения све-
тодиода. Большинство сигнальных и отображающих
светодиодов вы-
полняется такой конструкции.
Принципиальное устройство светодиода показано на
рис. 3.
Светодиоды могут изготавливаться и бескорпусными. Тогда
их раз-
меры определяются размерами кристалла
(0,4 7& 00,4 мм 52 0).
- 12 -
2.2. Свойства светодиодов.
Вольт-амперная характеристика светодиода
аналогична
вольт-амперной характеристике кремниевого диода: она
имеет круто
возрастающую прямую ветвь. На этом участке динамическое
сопро-
тивление мало и не превышает нескольких ом. Обратные
напряжения
невелики (3,5...7,5 В). Светодиод не рассчитан на
значительные
обратные напряжения и легко может быть пробит, если не
принять
соответствующих мер защиты. Если светодиод должен
работать от
сети переменного тока, то последовательно с ним
включается крем-
ниевый диод, который работает как выпрямляющий вентиль. В
стати-
ческом режиме номинальный ток в зависимости от типа
светодиода
лежит в пределах от 5...10 мА до 100 мА.
Яркость высвечивания светодиода или мощность
излучения
практически линейно зависит от тока через диод в широком
диапа-
зоне изменения токов. Исключение составляют красные GaP -
свето-
диоды, у которых с ростом тока наступает насыщение
яркости
(рис. 4). Это необходимо иметь в виду, когда светодиод
использу-
ется в импульсном режиме для получения больших выходных
яркостей.
При постоянном токе через светодиод его яркость с
ростом
температуры уменьшается. Для красных GaP - светодиодов
повышение
температуры по сравнению с комнатной на 20 5o 0
уменьшает их яркость
примерно на 10%, а зелёных - на 6%. С ростом температуры
сокра-
щается срок службы светодиодов. Так, если при
25 5o 0C срок службы
хороших светодиодов достигает 100000 ч, то при
100 5o 0C он сокраща-
ется до 1000 ч. Также сокращается срок службы светодиода
с уве-
личением его тока. Поэтому завышать ток по сравнению с
его мак-
симально допустимым паспортным значением не
рекомендуется.
- 13 -
Спектральный состав излучения светодиодов
определяется ма-
териалом, из которого они изготовлены, и легирующими
примесями.
Сравнительные спектральные характеристики для основных
материа-
лов приведены на рис. 5, а в табл. 2 даны основные
параметры не-
которых промышленных типов светодиодов.
ш1
Таблица 2. Параметры некоторых типов светодиодов.
╔════════╤══════════╤═════════╤══════════════╤═════════════════╗
║ │ │ │
Входные │ Выходные ║
║ │ │ │
параметры │ параметры ║
║ Тип │ Материал │ Цвет ├───────┬──────┼─────────┬───────╢
║ │ │ 7l 0,
нм │ │ │ P, мВт │ L 4v 0, ║
║ │ │ │
I, мА │ U, В │ ─────── │
кд/м 52 0 ║
║ │ │ │
│ │ I 4v 0, мкд │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ АЛ102А │ GaP │ ───────
│ 5 │ 3,2 │ ──── │
5 ║
║ │ │ 700 │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ зелёный │
│ │ │ ║
║ АЛ102Д │ GaP │ ───────
│ 20 │ 2,8 │ ──── │
40 ║
║ │ │ 556 │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ жёлтый │
│ │ │ ║
║ FLV450 │ GaP │ ───────
│ 20 │ 2 │ ──── │
║
║ │ │ 570 │
│ │ 3,2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ зелёный │
│ │ │ ║
║ FLV350 │ GaP │ ───────
│ 20 │ 2 │ ──── │
║
║ │ │ 560 │
│ │ 3,2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ FLV250 │ GaP │ ───────
│ 10 │ 2 │ ──── │
║
║ │ │ 700 │
│ │ 3 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ FK510 │ GaAsP │ ───────
│ 20 │ 1,6 │ ──── │
║
║ │ │ 660 │
│ │ 2 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ TIL210 │ GaAsP │ ───────
│ 50 │ 1,8 │ │ 2400 ║
║ │ │ 670 │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ АЛ307А │ GaAlAs │ ───────
│ 1 │ 2 │ ──── │
║
║ │ │ 700 │
│ │ 0,15 │ ║
╙────────┴──────────┴─────────┴───────┴──────┴─────────┴───────╜
.
- 14 -
╓────────┬──────────┬─────────┬───────┬──────┬─────────┬───────╖
║ │ │ красный │
│ │ │ ║
║ АЛ307Б │ GaAlAs │ ───────
│ 1 │ 2 │ ──── │
║
║ │ │ 700 │
│ │ 0,6 │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │
│ │ 6 │ ║
║ АЛ107А │ GaAs │ 920 │
100 │ 2 │ ──── │ ║
║ │ │ │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │
│ │ 1 │ ║
║ ЗЛ103А │ GaAs │ 900 │
50 │ 1,6 │ ──── │ ║
║ │ │ │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │
│ │ 2 │ ║
║ TIXL05 │ GaAs │ 900 │
750 │ 1,8 │ ──── │ ║
║ │ │ │
│ │ │ ║
╟────────┼──────────┼─────────┼───────┼──────┼─────────┼───────╢
║ │ │ │
│ │ 0,05 │ ║
║ TIL01 │ GaAs │ 900 │
50 │ 1,3 │ ──── │ ║
║ │ │ │
│ │ │ ║
╚════════╧══════════╧═════════╧═══════╧══════╧═════════╧═══════╝
ш0
3. ДВУХЦВЕТНЫЕ СВЕТОДИОДЫ.
В рассмотренных до сих пор светодиодах для
получения раз-
личного цвета излучения необходимо было использовать
различные
полупроводниковые материалы. Однако можно создать
монолитные
структуры на основе светодиодов, которые в
зависимости от их
включения или соотношения токов в них будут излучать в
различных
спектральных областях (рис. 6). Проще всего такие
структуры реа-
лизуются на фосфиде галия, который в зависимости от
введённых в
него примесей излучает зелёный, жёлтый, и красный цвет.
Для это-
го на кристалле фосфида галия создают два pn-перехода,
один из
которых излучает красный, а другой зелёный свет. При
смешивании
обоих обоих цветов получается жёлтый цвет.
Используя три вывода от структуры, можно отдельно
управлять
обеими полупроводниковыми системами. Когда оба
основных цвета
(красный и зелёный) излучаются одновременно,
человеческий глаз
- 15 -
воспринимает результирующее излучение как жёлтый цвет.
Точно так
же путём изменения величины тока, текущего через элементы
свето-
диода, удаётся изменять цвет излучения от
жёлто-зелёного до
красно-жёлтого оттенка. Одноцветные свечения - красное
или зелё-
ное - находятся на краях цветовой шкалы. Когда
требуется полу-
чить излучение определённого цветового восприятия,
лежащее в
данной цветовой области, необходимо перед кристаллом GaP
распо-
ложить соответствующие фильтры, слабо поглощающие
красные и зе-
лёные лучи.
Двухцветные светодиоды используются в качестве
четырёхпози-
ционных (красный - жёлтый - зелёный - выключенное
состояние)
сигнализаторов. Они находят применение в многоцветных
буквенных
и цифровых индикаторах, а также в цветоаналоговых
сигнализато-
рах. Например, в легковых автомобилях, используя
соответствующую
электронику, с их помощью можно контролировть степень
зарядки
батареи аккумуляторов. При измерении скорости их можно
использо-
вать в качестве оптических индикаторов скорости.
4. ИНДИКАТОРЫ НА СВЕТОДИОДАХ.
Для миниатюрных устройств отображения информации широко
ис-
пользуются светодиоды на основе арсенида-фосфида галия
(GaAsP),
галия-алюминия-арсенида (GaAlAs), а также фосфида галия
(GaP).
Все они высвечивают в видимой области спектра,
характиризуются
большой яркостью, большим быстродействием и большим
сроком
службы.
Для изготовления светодиодов, цифровых и
цифро-буквенных
дисплеев из таких материалов используются
технологические мето-
- 16 -
ды, широко применяемые в производстве интегральных схем.
В зави-
симости от размеров дисплеи на светодиодах изготовляются
как по
монолитной,так и по гибридной технологии. В первом
случае это
интегральный блок светодиодов, выполненный на одном
полупровод-
никовом кристалле. Так как размеры кристалла ограничены,
то мо-
нолитные индикаторы - индикаторы малых размеров. Во
втором слу-
чае излучающая часть индикатора представляет собой
сборку диск-
ретных светодиодов на миниатюрной печатной плате.
Гибридный ва-
риант является основным для для средних и больших светодиодных
индикаторов.
Для светодиодных индикаторов разработаны и
стандартизованы
схемы управления и согласования на серийных интегральных
схемах,
что упрощает их схемотехнику и расширяет области
применения.
Размеры рабочего кристалла светодиода малы
(400 7& 0400 мкм).
Излучающий кристалл - это светящаяся точка. Для того
же, чтобы
хорошо различать символы и цифры, их размеры не должны
быть ме-
нее 3 мм. Для увеличения масштаба светоизлучающего
кристалла в
дисплее применяют линзы, рефлекторы, фоконы. Размеры
знаков - от
3 до 1,5 мм и от 25 до 50 мм, что позволяет визуально
контроли-
ровать изображение на расстоянии до 3 и 10 м
соответственно.
Индикаторы на светодиодах изготовляются двух
типов: сег-
ментные (цифровые) и матричные (универсальные).
Семисегментный
индикатор позволяет воспроизводить все десять цифр (и
точку) и
некоторые буквы. Матричный индикатор содержит
7 7& 05 светодиодов
(светящихся точек) и позволяет воспроизводить все цифры,
буквы и
знаки стандартного кода для обмена информацией.
Оба типа индикаторов могут выполняться как
одноразрядными,
- 17 -
так и многоразрядными, что позволяет создавать на их
основе сис-
темы отображения различной сложности.
.
- 18 -
Литература.
1. Нососв Ю.Р. Оптоэлектроника. Физические основы,
приборы и
устройства. М. 1978.
2. Мадьяри Б. Элементы оптоэлектроники и
фотоэлектрической авто-
матики. М. 1979.
Оглавление.
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1
1.1. Предмет
оптоэлектроники. 1
1.2. Генерация
света. 3
1.3. Источники излучения.
5
2.
СВЕТОДИОДЫ. 8
2.1. Конструкция
светодиодов. 11
2.2. Свойства
светодиодов. 12
3. ДВУХЦВЕТНЫЕ СВЕТОДИОДЫ.
14
4. ИНДИКАТОРЫ НА
СВЕТОДИОДАХ. 15
|